11月8日学术报告:YIG/Pt薄膜的磁近邻效应与各向异性磁电阻角度关系的可调节性‍&界面调控垂直磁各向异性及其在超高灵敏Hall器件中的应用性

发布者:系统管理员发布时间:2014-12-08浏览次数:80

报告1题目:YIG/Pt薄膜的磁近邻效应与各向异性磁电阻角度关系的可调节性
报告人:蔡建旺,中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,研究员,
报告2题目:界面调控垂直磁各向异性及其在超高灵敏Hall器件中的应用
报告人:朱涛,中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,研究员
邀请人:翟亚
时间:12月08日下午15:00
地点:田家炳楼203会议室

摘要1:
纯自旋流的操控是发展未来自旋电子器件的关键技术之一。Pt由于具有很强的自旋-轨道耦合,表现出大的自旋霍尔角,在自旋塞贝克效应及包括关于自旋泵浦在内的许多实验中,被广泛用作自旋流的探测器。作为自旋流探测器的非磁薄膜,其基本要求是非磁层自身不能拥有磁性。然而,众所周知,Pt(以及Pd)的电子能带几乎快要满足Stoner判据,乃所谓磁近邻效应的典型代表,Pt在磁性绝缘体YIG上是否也存在诱导磁性?另一方面,磁性薄膜的自旋相关输运是自旋电子学研究中关键的第一环,各向异性磁电阻(AMR)作为磁有序材料的基本输运特征之一,人们通常认为在宏观各向同性的多晶系统中,铁磁材料的电阻率仅仅随测量电流与磁化矢量的夹角余弦的平方而变化,磁性薄膜AMR是否一直遵从这个简单规律?自旋霍尔磁电阻(SMR)真的拥有形式上完全不同于AMR的独特角度关系吗?

摘要2:

推动磁电子学快速发展的一个重要原因是其能够迅速产业化,目前,各类磁电阻效应在广义的磁传感器方面都得到了广泛的应用。近年来,作为有着悠久历史的反常Hall效应的研究再次获得了物理学界的普遍关注,除了对其相关机理的再认识,在CoFeB基垂直磁化薄膜的研究中,我们发现其在超高灵敏磁场探测方面也具有潜在的应用前景在这个报告中,我们首先对MgO/CoFeB/Ta的反常Hall效应进行了系统的研究,并对其机理进行了分析。其次,我们对MgO/CoFeB/Ta的垂直磁各向异性(PMA)的机理进行了深入的研究,发现通过MgO的厚度可以调控薄膜的PMA的大小。最后,我们通过调节MgO/CoFeB/Ta的大小,获得了超高Hall灵敏度的薄膜。

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