学术报告：Doping and Defects in Semiconductors: Fundamental Understanding and Design
报告人：邓惠雄 研究员(中科院半导体研究所)
时间: 1月11日（周五），下午4:00
地点: 田家炳楼南203室
邀请人：倪振华
欢迎各位老师和同学参加！
报告摘要：
Doping and defects plays a vital role for the semiconductor devices. In this presentation, based on the Density Function Theory (DFT) first-principle calculations, I will present our recent works on understanding and design of electronic properties of impurities and defects in the conventional semiconductors. The examples include origin of the diffusion behaviors of impurities in some semiconductors, defect properties for the amorphous semiconductors, and a general understanding of the electronic structures of non-isovalent semiconductor alloys and superlattices.
报告人简介：
邓惠雄，2010年毕业于中国科学院半导体研究所。2011年至2014年初在美国再生能源国家实验室 (NREL) 从事博士后研究。现为中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室研究员。主要研究方向：半导体物理、半导体合金、半导体掺杂与缺陷物理、半导体材料的物性探究与设计。迄今为止，在Nature Energy、Phys. Rev. Lett.、Phys. Rev. X、Phys. Rev. B、Adv. Func. Mater.等期刊上发表SCI论文四十多篇。