报告题目：盐辅助化学气相沉积二维过渡金属硫族化合物
报告人：李世胜 博士(日本物质材料研究所，国际青年科学家中心研究员)
时间：2019年5月29日（周三） 10:00-11:00
地点：田家炳楼南205会议室
邀请人：吕俊鹏
报告摘要：二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）如MoS2，WS2，MoSe2, WSe2等具有优异的电学（高迁移率）和光学性能，有望用于高性能、柔性、可穿戴电子器件。而发展高质量二维TMDC薄膜材料的可控制备技术是实现其应用的关键。本报告基于二维TMDC于材料合成，介绍我们在盐辅助化学气相沉积 二维TMDC材料领域的系列进展。
1）2015年，我们在Applied Materials Today上发表了《卤盐辅助常压生长大面积单层WSe2和WS2晶体》。至今，我们首创的“卤盐辅助生长二维TMDC材料”的方法已被国际上数十个课题组采用并证明对近50种二维TMDC材料的生长有帮助，相应的成果发表在国际一流学术期刊，如Nature，Nat. Nanotechnol.，Nat. Commun.，Adv. Mater.等。
2) 2018年，我们在Nature Materials上发表题为《气-液-固法生长MoS2纳米带》的论文，首次提出二维TMDC材料的气-液-固生长机制。这一成果受到了审稿人的高度评价：“该工作为二维TMDC材料的合成开辟了新的研究方向”。
3）目前，我们基于这一全新的、普适的气-液-固生长机制，成功制备了晶圆级高质量的二维TMDC薄膜材料，并实现了二维TMDC材料的定点和图案化生长。从而进一步推进了二维TMDC材料在柔性微纳电子器件中的集成与应用。